中国计量大学-809材料科学基础【2018】考研真题

2023-06-21 999+ 50.93KB 3 页
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1. 名词解释:(每小题 4分,共 20 分)
1)离异共晶;
2)伪共晶;
3)枝晶偏析;
4)自发辐射;
5)脱溶分解。
2. 判断下列说法是否正确,并说明理由:(每小题 4分,共 20 分)
1)若干个具有两个官能度的单体,在一定条件下可以聚合得到三维网状结构的高
分子化合物。
2)如果温度梯度足够小的话,单一组分的纯金属在一定条件下也可以产生成分过
冷。
3)在纯金属的凝固过程中,过冷度越大,其形核率也越大。
4)金属塑性变形主要通过位错滑移进行,所以具有超塑性的金属超塑性变形后位
错密度大大增加,形成复杂的位错网络。
5)调幅分解不需要克服能垒,形成过程中没有明显相界面,不存在界面能和应变
能。3. 简答题:(每小题 5分,共 30 分)
1)简要回答晶体结构和空间点阵的概念,它们之间有什么联系和区别?
2)为什么点缺陷在热力学上是稳定的,而位错则是不平衡的晶体缺陷?
3)在金属材料制备过程中,如何获得细小的晶粒?
4)有两批工业纯铝分别于 12 112 3日以相同的变形量进行轧制,然后
12 3同时晶退相同退现这完成
的温度不同,哪一批样品的再结晶温度较高?为什么?
5)请简述扩散的微观机制有哪些?影响扩散的因素又有哪些?
6)什么叫二次再结晶?发生二次再结晶的条件有哪些?
4. 画出下列晶向指数与晶面指数:(共 10 分)
1)在立方晶系中绘出晶向指数: [112]、、;
2)在立方晶系中绘出晶面指数:112)、110)。
5. 判断下列位错反应能否进行,并说明理由:(每小题 5分,共 10 分)
《材料科学基础》试卷 1 3
摘要:

1.名词解释:(每小题4分,共20分)(1)离异共晶;(2)伪共晶;(3)枝晶偏析;(4)自发辐射;(5)脱溶分解。2.判断下列说法是否正确,并说明理由:(每小题4分,共20分)(1)若干个具有两个官能度的单体,在一定条件下可以聚合得到三维网状结构的高分子化合物。(2)如果温度梯度足够小的话,单一组分的纯金属在一定条件下也可以产生成分过冷。(3)在纯金属的凝固过程中,过冷度越大,其形核率也越大。(4)金属塑性变形主要通过位错滑移进行,所以具有超塑性的金属超塑性变形后位错密度大大增加,形成复杂的位错网络。(5)调幅分解不需要克服能垒,形成过程中没有明显相界面,不存在界面能和应变能。3.简答题:(...

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