电子科技大学-832微电子器件【2015】考研真题
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2023-06-20
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电子科技大学
2015 年攻读硕士学位研究生入学考试试题
考试科目：832 微电子器件
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共 45 分，每空 1分）
1、泊松方程的积分形式即是（ ）定理，它的物理意义是：流出一个闭合
曲面的电通量等于该闭合曲面围成的体积内的（ ）。
2、 PN 结的扩散电容和势垒电容有很多不同之处。例如：（ ）只存在于正向偏
压之下；（ ）的正负电荷在空间上是分离的；（ ）能用作变容二
极管。
3、锗二极管和相同掺杂浓度、相同尺寸的硅二极管相比，其反向饱和电流更（ ），正
向导通压降更（ ）。
4、碰撞电离率是指每个载流子在（ ）内 由 于碰撞电离产生的（ ）
的数目。电场越（ ）， 材料的禁带宽度越（ ）， 碰撞电离率将越大。
5、温度升高时，PN 结的雪崩击穿电压将（ ）， 这 是因为温度升高将导致晶格振动
加强，因而载流子的平均自由程（ ）。
6、 MOSFET 用于数字电路时，其工作点设置在（ ）区和（ ）区；
双极型晶体管用于模拟电路时，其直流偏置点设置在（ ）区。
7、双极型晶体管的τb既是基区渡越时间，又是（ ）电 阻与（ ）
电容的乘积。
8、双极型晶体管的跨导代表其（ ）电流受（ ）电压变化的影响。双
极型晶体管的直流偏置点电流 IE越大，跨导越（ ）； 工作温 度越高，跨导越
（ ）。（ 第三、四个空填“大”或“小”）
9、一般来说，双极型晶体管的几个反向电流之间的大小关系为：IES（ ）I
CS；
I
CBO（ ）I
CEO； BVCBO（ ）BVCEO；BVEBO（ ） BVCBO
（填“>”、“<”或“=”）
10、当双极型晶体管集电极反偏，发射极开路时，发射极电流（ ）零，发射结上的偏
压（ ）零。 （填“>”、“<”或“=”）
11、增加双极型晶体管的基区宽度将（ ）厄尔利电压，（ ）基极电阻，
（ ）基区输运系数。
12、NMOS 的衬底相对于源端应该接（ ）电 位 。当|VBS|增加时，其 阈值电压将（ ）。
（第二个空填“增大”、“减小”或“不变”）
13、MOSFET 的沟道载流子和位于半导体内的载流子相比，除受到（ ）散射及电
离杂质散射作用外，还会受到（ ）散 射，因 此，通 常沟道载流子的迁移率（ ）
体内载流子迁移率。当栅压|VGS|增强时，沟道内的载流子迁移率将（ ）。（ 第三
个空填“>”、“<”或“=”，第四个空填“增加”、“降低”或“不变”）
14、对于N沟道增强型 MOSFET，在 VDS > 0 并且保持固定的条件下，当VGS 从零开始逐渐
增大，则MOSFET 将依次经过截止区、亚阈区、（ ）区和（ ）区，
在亚阈区内，IDS 与VGS 呈（ ）关系。
15、现代集成电路工艺中，用多晶硅作为MOSFET 栅电极是为了采用（ ）工艺。
多晶硅的掺杂类型不同将改变栅和衬底之间的（ ）， 从 而影响阈值电压。N
型MOSFET 的多晶硅栅掺P型杂质时，阈值电压将偏（ ）。（ 最后一个空填“大”
或“小”）
16、现代集成电路工艺中，通常通过对 MOSFET 沟道区进行离子注入来调整阈值电压，当
向沟道注入的杂质为硼（B）时，P沟道 MOSFET 的阈值电压将（ ）。（ 填“变
大”或“变小”）
17、对于短沟道 MOSFET，随着沟道宽度的不断缩小，其阈值电压的绝对值可能会随之
（ ）。（ 填“变大”或“变小”）
二、简答与作图题 (共52 分)
1、分别写出PN 结小注入和大注入时的结定律公式。 （6分）
2、请画出一个 PN 结二极管在反向恢复过程中的电流变化波形，并在图中标出存储时间ts、
下降时间tf及反向恢复时间tr，简要说明PN 结为什么会产生反向恢复过程。 （8分）
3、画出双极型晶体管的共基极短路电流放大系数α随发射极电流 IE大小变化的关系示意图，
并对其进行解释。 （8分）
摘要：
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电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。一、填空题（共45分，每空1分）1、泊松方程的积分形式即是（）定理，它的物理意义是：流出一个闭合曲面的电通量等于该闭合曲面围成的体积内的（）。2、PN结的扩散电容和势垒电容有很多不同之处。例如：（）只存在于正向偏压之下；（）的正负电荷在空间上是分离的；（）能用作变容二极管。3、锗二极管和相同掺杂浓度、相同尺寸的硅二极管相比，其反向饱和电流更（），正向导通压降更（）。4、碰撞电离率是指每个载流子在（）内由于碰撞电离产生的（）的数目。电场越（），材料的禁带宽度越（）...
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