电子科技大学-832微电子器件【2014】考研真题
2023-06-20
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微电子器件 试题共 6页，第 1页
电子科技大学
2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题
考试科目：832 微电子器件
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共 48 分，每空 1.5 分）
1、PN 结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（ ）向偏置的
（ ）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升
高而（ ）。
2 、一个 P+N 型的二极管，电子和空穴的寿命分别为 τn和τp，在外加正向直流电压 V1时电流
为I1，当外加电压反向为－V2时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通
时存储在（ ）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为
（ ）。
3 、防止 PN 结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（ ）。 同时，禁带宽带越
（ ）的半导体材料，其热稳定性越好。（第二个空填“大”或“小”）
4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（ ），共发射极增量输
出电阻越（ ）。 （ 填“大”或“小”）
5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb和τB，则1/τB表示的物理
意义为（ ）， 因此τb/τB可以表示
（ ）。
6 、MOSFET 的亚阈区摆幅 S反应了在亚阈区中（ ）的控制能力。
栅氧化层越厚，则S越（ ），该 控制能力越（ ）。（第二个空填“大”或“小”，
第三个空填“强”或“弱”）
7、当 金属和P型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表
面将形成（ ），该结构（ ）单向导电性。（ 从以下选项中选择）
A 电子阻挡层 B 电子反阻挡层 C空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层
E 具有 F 不具有
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8、MOSFET 的跨导是（ ）特性曲线的斜率，而漏源电导是（ ）特性曲
线的斜率。在模拟电路中，MOSFET 一般工作在（ ）区，此时理想情况下漏源电
导应为零，但实际上由于（ ）和
（ ）， 漏源电导通常为正的有限值。
9、短沟道 MOSFET 中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构，是为了降低漏端附近的电场强度，
从而抑制（ ）效应，防止器件电学特性退化。
10、如果以 SiGe 来制作BJT 的发射区，Si 来制作BJT 的基区，则与全部采用Si 材料的双极
型晶体管相比，其共基极电流放大系数α将（ ）。 （填“增大”、“减小”或“ 不
变”）
11、根据恒场等比例缩小法则，当 MOSFET 的沟道长度缩小K倍时，其阈值电压变为之前的
（ ），总电容变为之前的（ ），最 高工 作频率变为之前的（ ）。
12、研究发现硅-二氧化硅系统中，存在四种形式的电荷或能量状态，包括 Na+、K+等可动离
子、（ ）、（ ）以及二氧化硅层中的电离陷阱电荷，
通常它们都带正电，因此（ ）型 MOSFET 的衬底表面更容易反型。
13、PMOS 的衬底相对于源端应该接（ ）电位。当|VBS|增加时，PMOS 的阈值电压绝对值
将（ ），该效应叫做（ ）。 （第二个空填“增大”、“减小”
或“不变”）
二、简答与作图题 (共57 分)
1、如图所示，一块掺杂浓度为 ND的无限长均匀 N型半导体材料，在 x的负半轴有一束光稳
定地照射在半导体表面，产生体密度为 G0的电子-空穴对。 （9分）
（1）写出该半导体材料在x正半轴的少子扩散方程。（ 只考虑少子在 x方向的运动）
（2）如果要通过上述扩散方程求解 x正半轴的少子分布，应该采用什么样的边界条件？
（3）如果该半导体材料在x正半轴的长度缩短为W（W远小于少子扩散长度）， 又 应该 采用
什么样的边界条件求解？
摘要：
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微电子器件试题共6页，第1页电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。一、填空题（共48分，每空1.5分）1、PN结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（）向偏置的（）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升高而（）。2、一个P+N型的二极管，电子和空穴的寿命分别为τn和τp，在外加正向直流电压V1时电流为I1，当外加电压反向为－V2时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通时存储在（）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为（）。3、防止PN结发...
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