中国计量大学808电子技术基础2017年考研真题

2024-01-30 999+ 1.87MB 8 页
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《电子技术基础》试卷 1 6
一、(6) 二极管电路如图1所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO
两端的电压VAO。设二极管是理想的。
1
二、(6 ) 一个MOSFET的转移特性曲线如图2所示,试问:(1)它是N沟道
还是P沟道FET?(2)是耗尽型还是增强型?(3)从这个转移特性上可以求出该
FET具有夹断电压V还是开启电压V?其值是多少?
2
三、10 分)电路如图3所示,管子在输入信号的作用下,在一个周期内和 轮
i
v
1
T
2
T
流导电约 ,电源电压 ,负载 ,试计算:在输入信号的幅值为
0
180
20
CC
V V
8
L
R 
i
v
时,电源的输出功率、管耗、直流电源供给的功率和效率。
20
im CC
V V V 
《电子技术基础》试卷 2 6
3
《电子技术基础》试卷 3 6
四、8分)设运放A是理想的,试分析图4所示正弦波振荡电路:
1)为满足振荡条件,试用+标出运放A的同相端和反相端;
2)为能起振, 两个电阻之和应大于何值?
p
R
3)此电路的振荡器频率 =
of
4
五、15 分)电路如图5所示,运放A1是理想的,C2为比较器,二极管D是理想器
件, , ,三极管的β=50, ,试求:
51
b
R k 
5.1
c
R k 
0
CES
V
1)当 时, ;
1
I
v V
?
o
v
2)当 时,
3
I
v V
?
o
v
3)当 时,试画出 、 的波形。
5sin ( )
I
v t V
2
o
v
o
v
5
摘要:

《电子技术基础》试卷第1页共6页一、(6分)二极管电路如图1所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO两端的电压VAO。设二极管是理想的。图1二、(6分)一个MOSFET的转移特性曲线如图2所示,试问:(1)它是N沟道还是P沟道FET?(2)是耗尽型还是增强型?(3)从这个转移特性上可以求出该FET具有夹断电压VP还是开启电压VT?其值是多少?图2三、(10分)电路如图3所示,管子在输入信号的作用下,在一个周期内和轮iv1T2TivjPvkv)PlmPpnop]^_`qXr018020CCVV8LRivsPvk]&tuEeEEvivkwxtugyu*20imCCVVV...

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